Diotec: diodos Schottky de carburo de silicio SICW20C120
/0 Comentarios/en Uncategorized /por DachsElectronicaEl verano es la temporada perfecta para aprovechar al máximo la energía del sol, es cuando los sistemas fotovoltaicos están en pleno rendimiento. Presentamos los diodos Schottky de carburo de silicio (SICW20C120) de nuestro partner Diotec.
Los inversores solares convierten la corriente continua (CC), generada por los paneles solares, en corriente alterna (CA). Para su realización, la electrónica de potencia conmuta con altas tensiones y frecuencias por lo que las pérdidas de conmutación en los diodos y los IGBT se vuelven realmente muy importantes.
La tecnología de carburo de silicio (SiC), aplicada en los diodos Schottky, proporciona un rendimiento de conmutación superior y más fiabilidad en comparación con la tradicional de silicio. Con un bajo almacenamiento de carga, que permite un tiempo de descarga capacitiva casi nulo, y que conlleva un tiempo de recuperación inversa prácticamente despreciable. Este efecto hace que en su típico uso como diodo en anti paralelo con los componentes de conmutación de potencia (IGBT, Mosfet) permita pérdidas de conmutación significativamente reducidas, en ambos dispositivos. Sustancial mejora en el rendimiento que adicionalmente posibilita aumentar las frecuencias, mejorando el factor de forma de la señal de salida. Estas mejoras desencadenan posibilitar un aumento de la eficiencia máxima, densidad de potencia aumentada, EMI reducida y reducción de tamaño y coste de sistema.
En la aplicación que nos ocupa, el principal objetivo del diodo Schottky SICW20C120 de Diotec, es optimizar la eficiencia de tu inversor solar, aprovechando al máximo la energía del sol. ¡Aprovecha el poder del carburo de silicio y lleva tu sistema solar al siguiente nivel!
Características a destacar en el dispositivo:
- Ofrecen un tiempo de recuperación en inversa casi nulo.
- Reducción significativa de las pérdidas de conmutación.
- 2x 10 A / 1200 V en un encapsulado TO-247.
- Carga de almacenamiento capacitiva de solo 41 nC.
Aplicaciones típicas:
- Rectificación de altas frecuencias.
- Etapas con altas frecuencias de conmutación.
- Diodos para la corrección del factor de potencia.
- Diodos en anti paralelo de inversores.
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