Eficiencia energética para el futuro eléctrico con Diotec
Conoce la familia SiC MOSFET de Diotec Semiconductor, cuyos componentes son ideales para sistemas de carga EV de vehículos eléctricos, inversores solares y otras aplicaciones de suministro de energía en los sectores automotriz, industrial y comercial.
Estos MOSFET de carburo de silicio ofrecen:
1️⃣ Bajas pérdidas por conmutación
2️⃣ Altos niveles de tensión (1200 V)
3️⃣ Resistencia en estado activo (RDSon) de un máximo de 53 mΩ a 23 mΩ
4️⃣ Baja carga de puerta (de -8 V a 22 V de tensión continua puerta-fuente (VGSS)), entre otras especificaciones.
La serie fue diseñada con y sin conexión de fuente Kelvin, ofrece una optimización significativa en la gestión de corriente, lo que se traduce en una conmutación más rápida y eficiente. La conexión de fuente Kelvin reduce los tiempos de encendido y de recuperación inversa, mejorando así el rendimiento de los componentes en aplicaciones de alta tensión, al tiempo que disminuye las pérdidas de energía. Esto es crucial para aplicaciones que demandan alta potencia y eficiencia energética.
La serie SiC MOSFET es la solución óptima para aplicaciones de alta eficiencia energética.
Características
👉🏼 Destaca por su baja resistencia en estado activo, hasta 23mΩ, lo que significa menos pérdida de energía y un mejor rendimiento.
👉🏼 Su alta temperatura de funcionamiento, hasta 175°C, permite su uso en ambientes exigentes, mientras que una baja capacitancia de transferencia inversa asegura cambios rápidos y eficientes.
Es ideal para sistemas avanzados donde la eficiencia y la durabilidad son clave.
Especificaciones clave
👉🏼 Voltaje drain-source que alcanza hasta 1200V, garantiza un manejo eficaz de altas tensiones.
👉🏼 La carga total de puerta se reduce a 45nC, lo que facilita una conmutación rápida, y la energía total de conmutación se ha minimizado a 2.16mJ para una mayor eficiencia energética.
Este MOSFET es una opción robusta para aplicaciones que requieren durabilidad y un rendimiento eléctrico fiable.
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